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FCPF190N60仙童600VMOS

产品/服务:
有效期至: 长期有效
最后更新: 2017-10-22 19:12
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“FCPF190N60仙童600VMOS”参数说明

品牌: Fairchild(仙童) 类型: 增强型MOS管(N沟道)
材料: N-FET硅N沟道 封装外形: SMD(SO)/表面封装
用途: L/功率放大 型号: FCPF190N60
规格: TO-220F VDS: 600
IDS: 20.2

“FCPF190N60仙童600VMOS”详细介绍


SuperFET®II MOSFET 是飞兆半导体全新的高电压超级结 MOSFET 系列产品,采用先进的电荷平衡技术,实现极低的通态电阻和更低的栅极电荷。 该先进 MOSFET 经专门设计,不仅可最大程度地减少传导损耗,而且还能实现卓越的开关性能。 除了这些优势,与传统的超级结 MOSFET 相比,该产品还可耐受极高的 dv/dt 和较高的雪崩能量。 SuperFET II MOSFET 适用于系统小型化和高效化场景的各种开关电源应用。
特性


  • TJ = 150°C 时为 650 V
  • 最大值 RDS(on) = 199mΩ
  • 超低栅极电荷(典型值 Qg = 57nC )
  • 低有效输出电容(典型值 Coss.eff = 160pF )
  • 100% 经过雪崩击穿测试
应用
  • This product is general usage and suitable for many different applications.





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