“OSG65R580DF东微COOLMOS 产品”参数说明
是否有现货: | 是 | 认证: | 是 |
品牌: | 东微 | 类型: | 恒流源 |
功率因数: | 30W | 寿命: | 2年 |
输出电流: | 8A | 输出电压: | 650V |
输入电压: | 220V | 效率: | 90 |
质保: | 2年 | 安装位置: | 外置 |
电磁兼容: | 1 | 外形尺寸(L*W*H): | 1 |
型号: | OSG65R580DF | 规格: | COOLMOS |
商标: | 原装正品 | 包装: | 2500 |
“OSG65R580DF东微COOLMOS 产品”详细介绍
OSG65R580DF
Package:TO-252
P/N:OSG65R580DF
Status:Production
Cfg.:N
VDS(V):650
VGS(V):30
ID :8
Pd:63
Vth_typ(V):3
Ron_10V (Ω):0.58
Ron_4.5V (Ω):
Ron_2.5V (Ω):
Qg(nC):9.5
Qgs(nC):2.7
Qgd(nC):3.8
提供东微超级结MOSFET-4N65/7N65/8N65 等系列
超结MOSFET的特点
1. 极低的传导损耗
2. 极大的电流能力
3. 极低的栅极电荷Qg
4. 低的开启电压
5. 极快的开关速度
6. 出色的UIS能力
7. 百分百的雪崩能量击穿测试
Package:TO-252
P/N:OSG65R580DF
Status:Production
Cfg.:N
VDS(V):650
VGS(V):30
ID :8
Pd:63
Vth_typ(V):3
Ron_10V (Ω):0.58
Ron_4.5V (Ω):
Ron_2.5V (Ω):
Qg(nC):9.5
Qgs(nC):2.7
Qgd(nC):3.8
提供东微超级结MOSFET-4N65/7N65/8N65 等系列
超结MOSFET的特点
1. 极低的传导损耗
2. 极大的电流能力
3. 极低的栅极电荷Qg
4. 低的开启电压
5. 极快的开关速度
6. 出色的UIS能力
7. 百分百的雪崩能量击穿测试